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2013年，隨著智能機平板市場繼續(xù)走熱，以NAND Flash為核心的各類存儲器件缺貨嚴重，存儲器件的供應在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢態(tài)嗎？2013年智能機平板電腦超極本平臺廠商發(fā)力重點在哪里？如何實現(xiàn)差異創(chuàng)新？透過第二屆NAND Flash應用高峰論壇，本土存儲器件領(lǐng)軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量，共同應對存儲挑戰(zhàn)，推進智能機平板創(chuàng)新。

圖1 高峰論壇現(xiàn)場

本次高峰論壇與2012年首屆高峰論壇一樣，以NAND Flash應用為核心，聚合了智能手機、平板電腦和超極本產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商，參與演講嘉賓分別來自集邦科技、東芝、博通、Marvell、英特爾、華為、瑞芯微、深圳品網(wǎng)科技和BIWIN集團，他們分別分析了存儲器件市場走勢與技術(shù)發(fā)展趨勢、智能手機平板電腦超極本平臺發(fā)展趨勢，分享了差異創(chuàng)新的思路，300多位參會觀眾深感受益匪淺。

2013年，存儲器件會整年缺貨嗎？該如何應對？

圖2  BIWIN集團董事長孫日欣認為存儲器件不會整年處于缺貨狀態(tài)

2013年以來，智能手機、平板電腦廠商都或多或少遭遇存儲器件缺貨，甚至有人斷言2013年整年存儲器件都將缺貨，對此，BIWIN集團董事長孫日欣指出：“存儲器件目前已成智能手機平板電腦關(guān)鍵組件，直接關(guān)系整機的成本，而縱觀Flash的發(fā)展，其每次工藝的變化都會帶來新的應用商機，能最早解決新產(chǎn)品應用的企業(yè)，無疑會為公司帶來更好的利潤。BIWIN認為存儲器件在2013年的長期短缺不太可能，不過上半年可能會經(jīng)歷比較大的缺貨。”

集邦科技記憶體與存儲事業(yè)部協(xié)理楊文得在《2013 NAND Flash市場展望》演講中指出，從供需來看，2013年全球閃存市場營收會增長25億美元，達到250億美元規(guī)模，同時，研究顯示，2013年的閃存供需基本平衡，供應增長還略高于需求2個百分點。

圖3  2013年 NAND Flash市場供需分析

但是，為什么在終端應用市場，存儲器件會有如此大的波動呢？孫日欣分析這是因為終端發(fā)展速度遠遠高于存儲器件的產(chǎn)能增長，“智能機平板電腦市場今年的增長可能會達到200%，而Flash產(chǎn)能擴增也就是30%左右，這中間的差距太大了，導致市場供需失衡。”他指出，“目前，三星基本自己供應自己的產(chǎn)品，只有東芝和美光對外供應，所以雖然宏觀上平衡，但到微觀市場出現(xiàn)失衡。”

圖4 閃存市場三國爭霸局面

楊文得指出，目前閃存市場是三國爭霸局面，由于閃存工藝升級很快，廠商需要投入大量的財力維持產(chǎn)能，去年閃存價格一直處于下跌，生產(chǎn)廠商苦不堪言，廠商需要基本的利潤維持，所以東芝還將產(chǎn)能調(diào)低30%，由此看來，2013年的存儲供應短缺將呈現(xiàn)常態(tài)化，他預測今年第三季第四季還將出現(xiàn)供不應求的局面。

不過，作為本土eMMC和eMCP主要供應商，孫日欣認為由于BIWIN和全球兩大Flash供應商東芝和美光保持著長久緊密的合作，是其最重要的客戶，而且BIWIN早已制定了應對短缺的策略，所以，BIWIN的eMCP和eMMC產(chǎn)能相對充足，可以確保供應。“我們的eMCP 是國內(nèi)第一個量產(chǎn)的，目前已經(jīng)在和多個手機平臺進行配套驗證，很快采用我們eMCP 的智能手機就要面市了。”孫日欣強調(diào)。“我們剛和東芝高層進行了接觸，在供應方面可以有保障。”

孫日欣透露，BIWIN已經(jīng)在研發(fā)最新的POP封裝技術(shù)，會把存儲器件和更多其他器件封裝在一起，這樣可以為最新的小型化設(shè)備如類似iWatch、可穿戴式設(shè)備提供支持。“我們會不斷投資新技術(shù)，關(guān)注新技術(shù)的發(fā)展，努力保持技術(shù)領(lǐng)先性。”孫日欣表示。“BIWIN舉辦此次高峰論壇的初衷也是希望通過這樣的論壇為系統(tǒng)廠商設(shè)計人員帶來思維的沖擊和價值的參考，也希望通過這次論壇推動產(chǎn)業(yè)鏈的升級。“對于本土企業(yè)來說，做低端只能糊口做高端才能發(fā)展，不能總在垃圾中找吃的。”他精辟地概括。

Nand Flash與DRAM技術(shù)未來將如何發(fā)展？

圖5  東芝半導體技術(shù)統(tǒng)括部存儲應用技術(shù)經(jīng)理康敏宣分析NAND Flash未來發(fā)展

如今半導體技術(shù)飛速發(fā)展，作為存儲中堅的NAND Flash和DRAM技術(shù)未來將如何發(fā)展？NAND Flash發(fā)明者東芝半導體技術(shù)統(tǒng)括部存儲應用技術(shù)經(jīng)理康敏宣獨家披露了未來發(fā)展戰(zhàn)略。

首先他認為NAND Flash未來的應用領(lǐng)域?qū)⒏油貜V，“估計今年的NANDFlash總需求量會達到600億GB。”他指出，“除了在手機平板超極本領(lǐng)域應用外，汽車電子、服務器的應用也很大。”

他表示東芝的策略是不斷開發(fā)先進的工藝技術(shù)來提升產(chǎn)能，緩解供應壓力。如東芝是第一家推出19nm產(chǎn)品的公司，“未來，隨著工藝技術(shù)發(fā)展，東芝的發(fā)展方向是兩個，一個是大容量存儲，如19nm工藝產(chǎn)品，不過這個往下發(fā)展難度很大，所以，東芝會在明后年推出POST-NAND的產(chǎn)品，也就是3D NAND產(chǎn)品，接下來是POST-POST NAND。另個方向是東芝會投資發(fā)展磁阻內(nèi)存(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)技術(shù)， 它將替代現(xiàn)在的DRAM，磁阻內(nèi)存和DRAM內(nèi)存采用了完全不同的原理。DRAM內(nèi)存用以表示"0"和"1"的方式是判斷電容器中的電量多少來進行的，它不僅需要保持通電，還需要周期性地給電容充電才能保證內(nèi)容不丟。而磁阻內(nèi)存的存儲原理則完全不使用電容，它采用兩塊納米級鐵磁體，在界面上用一個非磁金屬層或絕緣層來夾持一個金屬導體的結(jié)構(gòu)。通過改變兩塊鐵磁體的方向，下面的導體的磁致電阻就會發(fā)生變化。電阻一旦變大，通過它的電流就會變小，反之亦然。

他最看好的明星產(chǎn)品是自旋扭矩轉(zhuǎn)換(spin-torque-transfer , STT)MRAM，“現(xiàn)在手機中的DRAM，斷電后不能保存資料，而且功耗很高，但MRAM沒有這個問題，而且它的讀寫速度非常快，而且理論上它的讀寫刷新是無限的，所以我們非常看好這款產(chǎn)品，我們希望用MRAM代替現(xiàn)在的DRAM。”他指出。

另外他特別強調(diào)東芝的所有NAND Flash產(chǎn)品都在日本巖手縣有的第五座NAND型閃存(Flash)工廠生產(chǎn)，以確保向市場提供可靠穩(wěn)定的產(chǎn)品。

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