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4月2日晚間，華燦光電披露非公開發(fā)行股票預(yù)案，擬擬募集資金總額不超過(guò)15億元，投入Mini/Micro LED的研發(fā)與制造項(xiàng)目、GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項(xiàng)目。

華燦光電認(rèn)為，公司自設(shè)立以來(lái)一直從事化合物光電半導(dǎo)體材料與電器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售業(yè)務(wù)，堅(jiān)持自主研發(fā)、技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)營(yíng)銷的發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)圍繞半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局，打造中國(guó)高端制造品牌。2012 年，公司完成首次公開發(fā)行股票并成功在創(chuàng)業(yè)板上市，整體實(shí)力、資金實(shí)力及品牌效應(yīng)均得到顯著提高，利用上市募集的資金擴(kuò)大 LED 芯片及外延片產(chǎn)能，長(zhǎng)期保持行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位。2016 年，公司成功并購(gòu)云南藍(lán)晶科技，并入藍(lán)寶石單晶、外延襯底以及其他藍(lán)寶石窗口材料業(yè)務(wù)，向 LED 產(chǎn)業(yè)鏈上游拓展，實(shí)現(xiàn)自藍(lán)寶石材料至 LED 芯片垂直一體化的生產(chǎn)模式，增強(qiáng)業(yè)務(wù)多元化抗風(fēng)險(xiǎn)能力、穩(wěn)定原料來(lái)源、降低采購(gòu)成本波動(dòng)率。

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)可分為四大細(xì)分領(lǐng)域，分別為集成電路、光電子、分立器件和傳感器，整體規(guī)模超過(guò) 4,000 億美元，并且伴隨著下游應(yīng)用市場(chǎng)的不斷豐富而呈現(xiàn)穩(wěn)健增長(zhǎng)的趨勢(shì)。作為典型的高科技產(chǎn)業(yè)，新興技術(shù)的層出不窮均會(huì)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)造成巨大影響，同時(shí)也帶來(lái)不同細(xì)分市場(chǎng)的存量替代機(jī)會(huì)。因此，對(duì)新興技術(shù)的布局一直是業(yè)內(nèi)企業(yè)的重要發(fā)展戰(zhàn)略和競(jìng)爭(zhēng)要素，抓住行業(yè)趨勢(shì)、領(lǐng)先對(duì)手的策略有助于公司實(shí)現(xiàn)超越式發(fā)展。

本次非公開發(fā)行募集資金所投資的項(xiàng)目方向包括 Mini/Micro LED、GaN 功率器件等，均是公司立足于產(chǎn)業(yè)前沿研究、自身技術(shù)積累、市場(chǎng)潛在空間等因素綜合考量后確定的重點(diǎn)發(fā)展方向，亦是公司中長(zhǎng)期規(guī)劃的重點(diǎn)突破領(lǐng)域。

華燦光電表示，Mini/Micro  LED 的研發(fā)與制造項(xiàng)目系公司為繼續(xù)擴(kuò)大在 LED 芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)、鞏固 LED 顯示屏芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先地位而計(jì)劃實(shí)施的投產(chǎn)項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資額為 139,267.22 萬(wàn)元，其中擬投入募投資金 120,000.00 萬(wàn)元。Mini/Micro LED 研發(fā)的內(nèi)容主要包括數(shù)學(xué)建模仿真、器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、外延工藝開發(fā)、芯片工藝開發(fā)等；量產(chǎn)的內(nèi)容主要包括 Mini/Micro LED 廠房及生產(chǎn)線建設(shè)，進(jìn)行 LED 外延片和芯片的生產(chǎn)銷售。本項(xiàng)目主要采用自主建設(shè)的方式，建設(shè)期為三年，計(jì)劃分三年進(jìn)行投入，項(xiàng)目建成后，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) 95 萬(wàn)片 4 英寸 Mini/Micro LED 外延片。

GaN 基電力電子器件的研發(fā)與制造項(xiàng)目產(chǎn)品為中低壓系列硅基增強(qiáng)型 p 型柵 GaN 高電子遷移率晶體管（HEMT），包括 100V、200V、600/650V 三個(gè)電壓等級(jí)的多種型號(hào)，主要面向智能手機(jī)、汽車電子、數(shù)據(jù)中心等市場(chǎng)應(yīng)用，具有高開關(guān)頻率、高轉(zhuǎn)換效率、高耐壓強(qiáng)度的技術(shù)特性。本項(xiàng)目通過(guò)器件仿真設(shè)計(jì)、工藝制程開發(fā)、測(cè)試失效分析，建立 GaN 功率器件設(shè)計(jì)和工藝 IP 庫(kù)。項(xiàng)目建成后，將建立 GaN 功率器件從設(shè)計(jì)開發(fā)、外延生長(zhǎng)、芯片制造到晶圓測(cè)試的完整業(yè)務(wù)鏈，將產(chǎn)品開發(fā)、制造與市場(chǎng)需求緊密結(jié)合，通過(guò)更快的產(chǎn)品迭代和穩(wěn)定的良品率，以具有相當(dāng)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比，快速推進(jìn) GaN 功率器件的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目建設(shè)期三年，計(jì)劃總投資額 31,641.58 萬(wàn)元，其中擬投入募投資金30,000.00 萬(wàn)元。

華燦光電表示，本次發(fā)行募集資金的用途合理、可行，項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策，是國(guó)家鼓勵(lì)投資的產(chǎn)業(yè)。項(xiàng)目建設(shè)有利于完善公司業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，提升公司綜合實(shí)力和核心競(jìng)爭(zhēng)力，促進(jìn)公司持續(xù)、健康發(fā)展，符合本公司及本公司全體股東的利益。