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據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，三安光電目前正在中國中部建設(shè)一個(gè)Mini/Micro LED研發(fā)基地，投資額為120億元人民幣（17億美元）。

消息人士表示，三安將在該研發(fā)基地展開GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K顯示器的研發(fā)。與此同時(shí)，三安還計(jì)劃在該基地建立161萬個(gè)GaN Mini/Micro LED芯片、750,000個(gè)GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000個(gè)4K顯示器的年生產(chǎn)能力。GaN業(yè)務(wù)部門年產(chǎn)能將包括720,000個(gè)藍(lán)光Mini LED芯片、90,000個(gè)藍(lán)光Micro LED芯片、720,000個(gè)綠光Mini LED芯片和80,000個(gè)綠光Micro LED芯片，而GaAs業(yè)務(wù)部分年產(chǎn)能將包括660,000個(gè)紅光Mini LED芯片和90,000個(gè)紅光Micro LED芯片。

然而，消息人士指出，三安光電目前尚未透露何時(shí)開始生產(chǎn)GaN和GaAs Micro LED芯片。

此外，三安光電已經(jīng)與三星電子合作，共同開發(fā)Mini/Micro LED技術(shù)。

而總部位于中國臺灣的PlayNitride，則計(jì)劃在2019年8月底開始試產(chǎn)多達(dá)3000片LED外延片，而三星也已選擇PlayNitride作為其Micro LED外延片的獨(dú)家供應(yīng)商。