據(jù)業(yè)內(nèi)人士稱，三安光電目前正在中國中部建設(shè)一個(gè)Mini/Micro LED研發(fā)基地，投資額為120億元人民幣（17億美元）。
消息人士表示，三安將在該研發(fā)基地展開GaN和GaAs Mini/Micro LED芯片以及4K顯示器的研發(fā)。與此同時(shí)，三安還計(jì)劃在該基地建立161萬個(gè)GaN Mini/Micro LED芯片、750,000個(gè)GaAs Mini/Micro LED芯片以及84,000個(gè)4K顯示器的年生產(chǎn)能力。GaN業(yè)務(wù)部門年產(chǎn)能將包括720,000個(gè)藍(lán)光Mini LED芯片、90,000個(gè)藍(lán)光Micro LED芯片、720,000個(gè)綠光Mini LED芯片和80,000個(gè)綠光Micro LED芯片，而GaAs業(yè)務(wù)部分年產(chǎn)能將包括660,000個(gè)紅光Mini LED芯片和90,000個(gè)紅光Micro LED芯片。
然而，消息人士指出，三安光電目前尚未透露何時(shí)開始生產(chǎn)GaN和GaAs Micro LED芯片。
此外，三安光電已經(jīng)與三星電子合作，共同開發(fā)Mini/Micro LED技術(shù)。
而總部位于中國臺(tái)灣的PlayNitride，則計(jì)劃在2019年8月底開始試產(chǎn)多達(dá)3000片LED外延片，而三星也已選擇PlayNitride作為其Micro LED外延片的獨(dú)家供應(yīng)商。
關(guān)于三安光電
三安光電股份有限公司成立于2000年11月,于2008年7月在上海證券交易所掛牌上市（股票代碼：600703），總部坐落于素有“海上花園”之稱的廈門，產(chǎn)業(yè)化基地分布在廈門、天津、蕪湖、泉州等多個(gè)地區(qū)，是國家發(fā)改委批準(zhǔn)的“國家高科技產(chǎn)業(yè)化示范工程”企業(yè)、工業(yè)和信息化部認(rèn)定的“國家技術(shù)創(chuàng)新示范企業(yè)”，承擔(dān)了國家“863”、“973”計(jì)劃等多項(xiàng)重大課題，擁有國家人事部頒發(fā)的博士后科研工作站及國家認(rèn)定的企業(yè)技術(shù)中心。
三安光電主要從事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、微波通訊集成電路與功率器件、光通訊元器件等的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品性能指標(biāo)居國際先進(jìn)水平。公司憑借強(qiáng)大的企業(yè)實(shí)力，繼2014年擴(kuò)大LED外延芯片研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化規(guī)模、同時(shí)投資集成電路產(chǎn)業(yè)，建設(shè)砷化鎵高速半導(dǎo)體與氮化鎵高功率半導(dǎo)體項(xiàng)目之后， 2018年三安光電在福建泉州南安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、LED外延、芯片、微波集成電路、光通訊、射頻濾波器、電力電子、SIC材料及器件、特種封裝等產(chǎn)業(yè)。2022年項(xiàng)目建成后，三安光電將實(shí)現(xiàn)在半導(dǎo)體化合物高端領(lǐng)域的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，公司的高新技術(shù)及生產(chǎn)規(guī)模邁入國際先進(jìn)行列。
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